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型号 HYG028N10NS1B6 参数 HYG028N10NS1P
HYG028N10NS1B6原装正品N沟道 100V 230A｜分立半导体
华羿微电HYG028N10NS1B6MOS管
N沟道100V230A场效应管
原装HYG028N10NS1B6场效应管100V230A贴片TO263-6 N沟道MOS管原装
原装全新 HYG025N06LS1B6 HYG028N10NS1B6 TO-263-6 MOS管
HYG028N10NS1B6 直插TO-263-6 N沟道 100V 230A场效应管 原装正品
HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) N沟道 100V 230A
HYG028N10NS1B6 贴片TO-263-6 华羿微 N沟道 100V 230A 场效应管
HYG028N10NS1B6N沟道场效应管
HYG028N10NS1B6 TO-263-6 场效应管(MOSFET) 现货 可直拍
HYG028N10NS1B6封装TO-263-6场效应管(MOSFET)
HYG025N04NA1D/HYG025N06LS1P/HYG028N10NS1B6
原装HY/华羿微 HYG028N10NS1B6 贴片TO-263-6 100V 230A 场效应管
HYG028N10NS1B6-安富利XC国际代理全线售出原装IC库存，只做原装
HYG028N10NS1B6-俊龙XC国际出售原装芯片库存也有回收，原装现货
HYG028N10NS1B6得捷芯城国际代理全线售出原装IC库存，只做原装有
HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
HYG028N10NS1B6 场效应管 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
HYG025N06LS1P 规格 HYG028N10NS1B6
HYG028N10NS1P 参数 HYG028N10NS1B6 热销
HYG028N10NS1B6 分立半导体「N沟道 100V 230A」
HYG028N10NS1B6▕TO-263-6场效应管(MOSFET)
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场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6 100V 230A HUAYI(华
场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1B6 TO-263-6
