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原装 SI2306BDS-T1-GE3 (N沟道 30V 4A)
原装 SI2306 KEXIN(科信) (N沟道 30V 3.5A) 场效应管(MOSFET)
原装 SI2306 Hottech(合科泰) (N沟道 30V 3.16A) 场效应管(MOSFE
原装 SI2306DS-T1 VBsemi(台湾微碧) (SI2306DS-T1) 场效应管(MOS
SI2306DS 参数 SI2306DS-T1
SI2306BDS-T1-E3/SI2306BDS-T1-GE3/SI2306BDS-T1-GE3-VB
SI2306/SI2306-TP/SI2306A
SI2306BDS-T1-GE3『MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3』 现货
SI2306BDS-T1-E3『MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3』 直拍
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SI2306CDS-T1-E3 元件 SI2306BDS-T1-GE3-VB 进口
正货 SI2306DS-T1-GE3 原厂 SI2306W
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元件 SI2306DS 正品 SI2306CDS-T1-GE3
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SI2306DS-T1-E3 正品 SI2306DS-T1 自营
手册 SI2306A 手册 SI2306-TP
SI2306BDS-T1-GE3 原厂 SI2306BDS-T1-E3 资料
手册 UMW SI2306A 零件 UMW SI2308A
SI2306 自营 SI2305DS-T1-GE3 规格
SI2306BDS-T1-GE3-VB 元件 SI2306CDS-T1-E3 正品
UMW SI2306A 型号 UMW SI2308A 电子
SI2306BDS-T1-GE3原装正品MOSFET N-CH 30V 3.16A
SI2306BDS-T1-E3原装正品MOSFET N-CH 30V 3.16A
SI2306-TP原装正品MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23|
SI2306A原装正品N沟道 30V 3.5A|分立半导体
UMW SI2306A原装正品MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20
SI2306-TP[MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23]分立半导体
SI2306BDS-T1-GE3[MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-
SI2306BDS-T1-E3[MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
SI2306BDS-T1-E3 分立半导体「MOSFET N-CH 30V 3.16A S
SI2306A 分立半导体「N沟道 30V 3.5A」
SI2306 分立半导体〈N沟道 漏源电压(Vdss):3
UMW SI2306A〈MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=
SI2306 分立半导体〈MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±2
SI2306-TP 分立半导体「MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23」
SI2306-TP▕SOT-23场效应管(MOSFET)
SI2306BDS-T1-GE3▕FET 类型:N 通道N沟道,30V,4A,47mΩ@10V
SI2306BDS-T1-GE3-VB▕SOT-23场效应管(MOSFET)
SI2306DS-T1-VB▕SOT-23场效应管(MOSFET)
SI2306▕SOT-23-3L场效应管(MOSFET)
SI2306BDS-T1-E3▕SOT-23-3FET 类型:N 通道
【 全新原装现货 】 SI2306-TP N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKA